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2025-11-20 13:30:00
新しい 150V/2.5mΩ デバイスは業界をリードする短絡耐性を実現し、72V+ バッテリ管理システムで最大 50% の部品削減を可能にします
ペンシルベニア州リーハイバレー、2025年11月20日 /PRNewswire/ — iDEALセミコンダクター高性能パワーシリコンのリーダーである同社は本日、高電圧 (72V 以上) バッテリー管理システム (BMS) における重要な安全性と効率のトレードオフを解決する目的で設計された SuperQ™ MOSFET テクノロジーの利用可能性を発表しました。新しいプラットフォームは、BMS 放電スイッチの最も重要な安全基準である短絡耐量 (SCWC) の業界ベンチマークを設定します。
e-モビリティ、ドローン、プロ用電動工具における高電圧バッテリーパックの普及により、電流が数千アンペアに急増する可能性がある外部短絡イベント時の致命的な故障から保護するという、一か八かの課題が生じています。放電 MOSFET は、このような極端な条件下でバッテリー パックを絶縁する役割を担う単一コンポーネントです。
「高エネルギーパックでは、堅牢性は交渉の余地がありません。従来の MOSFET 設計では、効率を高めるために超低 RDS(on) を達成することと、大規模な短絡電流に耐えるために必要な構造的完全性の間で妥協を強いられます。」と iDEAL Semiconductor の設計担当副社長である Phil Rutter 博士は述べています。 「SuperQ™ プラットフォームは、この妥協を排除します。当社独自のセル構造は、市場で最も低いオン抵抗と比類のない安全マージンを実現し、設計者がより小型で信頼性が高く、低コストのバッテリー システムを構築する自信を与えます。」
1.4倍の優れた短絡耐電流
iDEAL Semiconductor の内部テストでは、SuperQ のパフォーマンス上の重要な利点が実証されました。 iS15M2R5S1T (150V、2.5mΩ、TOLL パッケージ) と主要な競合他社との直接比較では、次のことが明らかになりました。
会社名・製品名
電圧
RDS(オン)
SCWC（ピーク）
iDEAL SuperQ™ (iS15M2R5S1T)
150V
2.5mΩ
800A
主要な競合他社
150V
2.5mΩ
580A
SuperQ デバイスは、最も近い競合製品よりも 1.4 倍高い短絡故障能力を示しました。この画期的な性能は、極度のストレス下で電力密度と構造的完全性を最大化する、より広い伝導領域を特徴とする独自のセル構造によって実現されます。
システムコストの削減と信頼性の向上
バッテリー パックの設計者にとって、この優れた SCWC はシステム レベルのメリットに直接つながります。
- 部品の削減: 各 SuperQ デバイスは大幅に高い短絡電流を処理するため、設計者は同じ安全要件を満たすために並列に使用する MOSFET の数を最大 50% 減らすことができます。
- コスト削減: コンポーネント数と複雑さを削減すると、総部品表 (BOM) が大幅に削減され、基板レイアウトが簡素化されます。
- 効率: 2.5mΩの超低RDS(on)を維持することで伝導損失を最小限に抑え、バッテリーの稼働時間を延長し、熱管理の必要性を軽減します。
SuperQ ポートフォリオは、最大 200V のデバイスですぐに利用でき、72V から 144V 以上までの範囲のバッテリー プラットフォームにソリューションを提供します。
バッテリー管理システムでの使用に関する詳細とホワイトペーパーについては、次のサイトをご覧ください。 https://idealsemi.com/battery-management/。
iDEALセミコンダクターについて
iDEAL Semiconductor Devices, Inc. は、次世代シリコン パワー デバイスの業界をリードする開発会社です。
同社は、シリコンをその限界を超えて推し進めるという使命を持って設立されました。特許取得済みの SuperQ テクノロジーは、実証済みのシリコンの利点から逸脱することなく、従来の CMOS プロセスを使用して画期的なエネルギー効率を実現します。
このプラットフォーム技術は、幅広い製品、アプリケーション、半導体材料に適用可能で、あらゆるアプリケーションで電力損失を軽減する目的で構築されており、次世代により環境に優しいエネルギー利用を提供します。
iDEAL はペンシルベニア州リーハイ バレーに拠点を置いており、詳細については次のサイトをご覧ください。 www.idealsemi.com
ソース iDEAL Semiconductor Devices Inc
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