G.Skıllは、T5 NeoシリーズDDR5-6400 CL38 512 GB（64 GBX8）Ryzen Threadripper ProのRyzen Threadripper Proを紹介しました

G.Skıll、新しいT5 NEOシリーズDDR5-6400 CL38 512GB（64GBX8）速度オーバーDDR5 R-DIMMメモリソリューションがリリースされました。このT5 Neo DDR5 R-DIMMメモリキットは、AMD Ryzen Threadripper Proシリーズプロセッサと互換性のあるAMD WRX90チップセットマザーボード向けに特別に設計されており、AMDエキスポメモリ速度オーバークリックテクノロジーと高品質の16-Layer PCBデザインのおかげで、高速、高SOE容量、およびプロフェッショナルワークステーションの信頼性を約束します。

DDR5-6400 CL38-48-48-102 512GB（64GBX8）キット

512 GBの合計容量を持つ8つの64 GBモジュールで構成されるT5 Neoシリーズメモリキットは、激しいワークロードの要件を満たすように設計されています。 AIモデルトレーニング、大規模なデータ分析、メモリ集中シミュレーション、プロフェッショナルアプリケーション、高解像度のコンテンツ作成などの分野では、この高容量メモリ構成により、専門家ははるかに大きなデータクラスターと連携できます。これは、生産性を向上させるために並外れた帯域幅と広い能力の両方を必要とする新世代のワークステーションに理想的な選択となります。 ASUS Pro WS WRX90E-SAGE SE SE MOTHERBOARD AMD RYZEN Threadripper Pro 9945WXプロセッサ、以下のスクリーンショットをご覧ください。

高度な信号の整合性のためのプレミアム16レイヤーPCB

G.SkıllT5NEOシリーズDDR5 R-DIMMモジュールは、16層のPCB設計で生成されます。これは、以前の8層または10層のデザインと比較して重要なアップグレードです。 PCB層の数の増加は、高いパフォーマンスまたはオーバークロックワークロードの下でのデータ転送の信頼性と安定性を向上させるために、信号の整合性を向上させます。これにより、高レベルのワークステーションでの高性能情報処理アプリケーションの理想的なDDR5 R-DIMMメモリオプションになります。

追加のテレビと保険電圧保護で開発されました

G.Skill T5 NEOシリーズDDR5 R-DIMMモジュールのそれぞれは、不規則な電力レベルから保護するための2つの双方向TVダイオードとヒューズを装備し、連続電圧レベルを維持し、メモリモジュールを電力変動から保護します。これらの追加の保護層は、最適な安定性と信頼性を提供し、新しいG.Skill T5 NEOシリーズDDR5 R-DIMMメモリ、重要なワークロード、および新世代の高性能情報処理システムを作成するのに役立ちます。