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2024-03-04 01:31:00
(新華社）2024年03月04日09時31分
2024年2月29日、中国東部の上海にある中国科学院上海光学精密機械研究所の研究室で実験を行う研究者たち（新華社/Jin Liwang）
Nature誌に2月22日に掲載された記事によると、ペタビット容量の三次元ナノスケール光ディスクメモリが中国科学院上海光学精密機械研究所で開発されたという。
研究チームは、平面記録アーキテクチャを数百層の三次元に拡張することで、光データストレージの容量をペタビットレベルまで増加させると同時に、記録スポットの光回折限界の壁を突破することに成功した。 最小スポット サイズと横方向トラック ピッチは、それぞれ 54 nm と 70 nm です。
研究チームは、フェムト秒レーザービームによって光刺激できる、凝集誘起発光色素をドープしたフォトレジスト膜をベースにした光記録媒体を開発した。
この新技術は、ペタビットレベルの容量の光ディスクを世界で初めて達成したことになる。
2024年2月29日、中国東部の上海にある中国科学院上海光学精密機械研究所の研究室で実験装置をデバッグする趙妙研究員（新華社／金立旺）
2024年2月29日、中国東部の上海にある中国科学院上海光学精密機械研究所の研究室で実験を行う研究者たち（新華社/Jin Liwang）
2024年2月29日、中国東部の上海にある中国科学院上海光学精密機械研究所の研究室で実験装置をデバッグする趙妙研究員（新華社／方哲）
2024年2月29日、中国東部の上海にある中国科学院上海光学精密機械研究所の研究室で、ペタビット容量の三次元ナノスケール光ディスクメモリを示す研究員の趙妙（Zhao Miao）氏。（新華社／方哲）
2024年2月29日、中国東部の上海にある中国科学院上海光学精密機械研究所の研究室で実験を行う研究者たち（新華社／方哲）
中国東部の上海にある中国科学院、上海光学精密機械研究所の研究室で働く研究員ルアン・ハオ氏、2024年2月29日、新華社／ジン・リーワン）
2024年2月29日に撮影されたこの写真は、中国東部の上海にある中国科学院上海光学精密機械研究所の実験材料を示している。 (新華社/ジン・リーワン)
2024年2月29日、中国東部の上海にある中国科学院上海光学精密機械研究所の実験室で実験材料を観察する研究員の趙妙（Zhao Miao）氏（新華社／金立旺）
2024年2月29日、中国東部の上海にある中国科学院上海光学精密機械研究所の研究室でマスクを着用する研究者ら（新華社／方哲）
2024年2月29日、中国東部の上海にある中国科学院上海光学精密機械研究所で、ペタビット容量の三次元ナノスケール光ディスクメモリを展示する研究者のZhao Miao氏。(新華社/Jin Liwang)
中国東部の上海にある中国科学院上海光学精密機械研究所の研究室で、顕微鏡で実験材料を観察する研究員の趙妙（Zhao Miao）氏、2024年2月29日。（新華社／方哲）
2024年2月29日、中国東部の上海にある中国科学院上海光学精密機械研究所の研究室で実験を行う研究者たち（新華社／方哲）
（ウェブ編集者：張凱偉、梁軍）
#研究者が中国でペタビット容量の光ディスクメモリを開発