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2024-02-28 02:05:11
サムスン、現在のインターフェイスの 4 倍以上の速度を誇る業界初の 256GB SD Express microSD カードをサンプル
Samsung の 1TB UHS-1 microSD カード、最新の V-NAND テクノロジーに基づいて量産中
先進メモリ技術の世界的リーダーであるサムスン電子は本日、最大 800 メガバイト/秒 (MB/s) のシーケンシャル読み取り速度を備えた 256 ギガバイト (GB)1 SD Express2 microSD カードのサンプリングを開始し、大量出荷を開始したと発表しました。 1 テラバイト (TB)3 UHS-1 microSD カードの生産。 サムスンは、次世代の microSD カード ラインアップの導入により、明日のモバイル コンピューティングおよびオンデバイス AI アプリケーションに必要な差別化されたメモリ ソリューションを提供することを目指しています。
「サムスンは、2 つの新しい microSD カードにより、モバイル コンピューティングとオンデバイス AI の需要の増大に対処する効果的なソリューションを提供してきました」と、サムスン電子のメモリ ブランド 製品ビズ チームのバイスプレジデントであるハング ソン氏は述べています。 「これらのメモリカードは、サイズが小さいにもかかわらず、SSD のような強力なパフォーマンスと容量を提供し、ユーザーが要求の厳しい最新および将来のアプリケーションを最大限に活用できるようにします。」
業界初の SD Express microSD カードは最大 800 MB/秒の速度を実現
業界で初めて、Samsung は SD Express インターフェイスに基づいた新しい高性能 microSD カードを導入しました。 この開発は、顧客との共同作業によるカスタム製品の作成に成功しました。
サムスンの SD Express microSD カードは、低電力設計と、高性能および熱管理のために最適化されたファームウェア テクノロジーのおかげで、小型のフォーム ファクタで SSD と同等のパフォーマンスを提供します。 UHS-1 インターフェイスに基づく従来の microSD カードの読み取り速度は 104MB/s に制限されていましたが、SD Express はそれを 985MB/s まで高めることができました。ただし、SD Express の商用利用はこれまで microSD カードでは実現できませんでした。
Samsung の SD Express microSD カードの連続読み取り速度は最大 800MB/秒に達します。これは、SATA SSD の 1.4 倍 (最大 560 MB/秒)、従来の UHS-1 メモリ カード (最大 200 MB) と比較して 4 倍以上高速です。 /s) により、PC やモバイル デバイスなどのさまざまなアプリケーションでコンピューティング エクスペリエンスが向上します。 小型フォームファクターの安定したパフォーマンスと信頼性を確保するために、Dynamic Thermal Guard (DTG) テクノロジーは、長時間の使用セッションでも SD Express microSD カードの最適な温度を維持します。
最先端の 1Tb V-NAND を搭載した 1TB UHS-1 microSD カード
Samsung の新しい 1TB microSD カードは、microSD フォームファクタ内に同社の第 8 世代 1 テラビット (Tb) V-NAND を 8 層スタックし、これまで SSD でのみ可能であった大容量パッケージを実現しています。 新しい 1TB microSD カードは、業界で最も厳格なテスト設定に合格し、防水、極端な温度、落下防止設計、摩耗保護、X 線および磁気保護などの機能を備え、厳しい環境でも信頼性の高い使用を提供します。 .4
可用性
256GB SD Express microSD カードは今年後半に購入可能になり、1TB UHS-1 microSD カードは今年第 3 四半期以内に発売される予定です。
1 1 ギガバイト (GB) = 1,000,000,000 バイト (10 億バイト)。 実際に使用可能な容量は異なる場合があります。
2 SD Express: PCIe Gen3x1 を備えた新しい SD カード インターフェイス (2019 年 2 月にリリースされた SD 7.1 仕様に基づく)、SD Express カードの理論上の転送速度は 985MB/s
3 1 テラバイト (TB) = 1,000,000,000,000 バイト (1 兆バイト)。 実際に使用可能な容量は異なる場合があります
4 Samsung は、データの損害および/または損失、またはメモリ カードのデータ回復に伴う費用に対して責任を負いません。 主張されている 6 つの証拠は 1TB UHS-1 microSD カードにのみ適用され、256GB SD Express microSD カードには適用されません。 深さ1M、塩水、72時間。 動作温度は-25℃～85℃ (-13°F～185°F)、非動作温度は-40℃～85℃ (-40°F～185°F)。 空港の標準的な X 線装置 (最大 100mGy) に耐えます。 高磁場 MRI スキャナーと同等の磁場 (最大 15,000 ガウス)。 最大 5 メートル (16.4 フィート) の高さからの落下に耐えます。 最大 10,000 回のスワイプ。
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