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いつか 3 種類のストレージを置き換える可能性がある「完璧な」メモリが非常に初期のプロトタイプを取得 — SOT-MRAM はキャッシュ、システム メモリ、ストレージが 1 つに統合されたもの

工業技術研究院（ITRI）と台湾積体電路製造会社（TSMC）は、2022年に初めて発表された共同開発プログラムの成果であるSOT-MRAM（スピン軌道トルク磁気ランダムアクセスメモリ）アレイチップの開発を発表した。STT-MRAM (スピントランスファートルク MRAM) の代替となる可能性があると宣伝されている新しい SOT-MRAM は、メモリ アーキテクチャのコンピューティングや、高密度の最終レベルの組み込みキャッシュ アプリケーションの代替として使用できる可能性があります。 動作電力は前世代の消費電力のわずか1％で、DRAMよりも高速と言われています。ITRI と TSMC は、2023 年の IEE 国際電子デバイス会議 (IEDM 2023) で、このマイクロ電子コンポーネントに関する新しい研究論文を発表しました。まだまだ乗り越えるべきハードルはあるITRI電子・光電子システム研究所所長のShih-Chieh Chang博士は次のように述べています。細胞。 このユニットセルは、低消費電力と高速動作を同時に実現し、10ナノ秒の速度に達します。 また、メモリ回路設計のコンピューティングと統合すると、全体的なコンピューティング パフォーマンスをさらに向上させることができます。 将来的には、このテクノロジーはハイパフォーマンス コンピューティング (HPC)、人工知能、自動車用チップなどに応用できる可能性を秘めています。」AI、5G、AIoT の台頭により、優れた速度、安定性、エネルギー効率を提供する、より高速な処理と新しいメモリ ソリューションの必要性が高まっています。 この画期的な進歩により、次世代メモリ技術への道が開かれる可能性がありますが、問題もあります。として トムズ・ハードウェアが指摘する, 「SOT-MRAM は SRAM よりスタンバイ電力が低くなりますが、書き込み動作に大電流が必要なため、動的消費電力は依然としてかなり高くなります。 さらに、SOT-MRAM セルは依然として SRAM セルより大きく、製造が困難です。 その結果、SOT-MRAM…