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2026-02-22 00:35:00
サムスン電子はHBM4（第4世代高帯域幅メモリ）メモリの量産を正式に開始し、最初の製品を顧客に出荷した。このメモリは、集中的なコンピューティングと人工知能 (AI) のニーズを非常に高いパフォーマンスでサポートするように特別に設計されています。
HBM4 は、ピンあたり最大 11.7 Gbps のデータ転送速度を実現します。合計 2,048 ピンにより、帯域幅は 3.3 テラバイト/秒 (TB/s) に達し、前世代、つまり HBM3E と比較して 2.7 倍に増加します。この技術は、「1c」と呼ばれる第6世代10nmクラスDRAMプロセスと4nmロジックベースのダイ製造を採用し、より高いパフォーマンスを実現します。
技術革新とパフォーマンス
Samsung は、HBM4 標準化プロセスにおいて JEDEC が設定した基準を超えることに成功しました。 JEDEC は HBM3E と比較してピンあたりの帯域幅速度を 9.6 Gbps から 8 Gbps に低下させていますが、Samsung はそのパフォーマンスが実際にピンあたり 11.7 Gbps に達することを証明しています。同社はまた、将来的には最大 13Gbps まで速度を向上させる機会も提供します。
より多くのピン、つまり 2,048 ピンを使用すると、データ転送容量が 2 倍になり、総帯域幅が大幅に増加します。この戦略は、高負荷のコンピューティング デバイスにとって大きな懸念事項である電力効率と温度管理の点でも有益です。
容量と電力効率
Samsung の HBM4 は、24 GB ～ 36 GB のメモリ容量を備えた 12 層スタッキング テクノロジを備えています。同社は市場のニーズに応じて最大16層の設計を開発し、最大48GBの容量を実現する計画だ。この技術により、高性能をサポートしながら大容量の製品が可能になります。
さらに、低電圧シリコン貫通ビア (TSV) と最新の配電ネットワーク設計の使用により、電力効率が最大 40% 向上します。熱面では、前世代の HBM3E と比較して、熱抵抗が最大 10% 低減され、放熱能力が最大 30% 増加しました。
市場の需要と生産の拡大
サムスンは、今年を通じて HBM4 メモリの需要が大幅に急増すると予測しています。売上高は前年比3倍に伸びる見込みだ。そのため同社は、特にデータセンターサーバーやAIデバイス分野での成長する市場ニーズに応えるため、生産能力を拡大している。
それとは別に、Samsung は HBM4 の進化版である HBM4E を発売する計画を持っています。 HBM4E サンプルは今年下半期に出荷を開始し、来年には顧客のニーズに合わせて特別に設計された HBM メモリも提供する予定です。
サムスンの産業ステップと戦略
Samsung Electronics の執行副社長兼メモリ開発責任者の Sang Joon Hwang 氏によると、1c DRAM や 4nm ロジックなどの最先端の製造ノードの選択は、同社の積極的な戦略の一部です。主な焦点は、パフォーマンスを大幅に向上させ、将来の技術アップグレードの範囲を拡大することです。
HBM4 の採用と HBM4E の発売準備は、高速メモリ市場における Samsung の強力な地位を示しています。これらのデバイスは、特に AI ニーズや大規模データセンターにとって、現代のコンピューティングのバックボーンです。エネルギー効率とより優れた熱管理は、急増する世界的な産業ニーズを満たすための重要なイノベーションです。
さまざまな利点と構造化された最新化計画により、サムスンは、このデジタル時代のコンピューティング技術の進歩をサポートできる高性能メモリ技術を提供するという取り組みを強調しています。もちろん、この発展は今後のさまざまな先端技術分野のイノベーションの加速に大きな影響を与えるでしょう。
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