REWIRE 日英ワイドバンドギャップエレクトロニクスワークショップ

時間
セッション
09:30
登録と歓迎（お茶/コーヒー）

オープニングセッション
09:50
Naoshi Sugiyama、名古屋大学学長
10:00
ダレン・ゴフ、副部長、自動車部門共同本部長、 |英国商務貿易省
10:10
マーティン・クボール、ブリストル大学
REWIRE IKC: 日英のパワーエレクトロニクス技術を変革するウルトラワイドバンドギャップ半導体のチャンス
10:30
Hiroshi Amano名古屋大学
名古屋大学におけるWBG半導体エレクトロニクスに関する研究活動

政府セッション 1 – 日本
10:50
Takashi Toyota文部科学省国際研究開発政策課 課長
11:00
ネットワーキングブレイク（ポスターセッションを含む）

基調講演 1
11:30
テモック・ロドリゲス、リカルド社
高出力自動車用途における GaN 半導体
11:50
堀田耕司、デンソー/ミライズテクノロジーズ、
xEVにおけるパワー半導体の進化と将来デバイスへの期待
12:10
キム・ソンウ、株式会社オーブレイ、
世界初、サファイア基板上に成長した双結晶を含まない自立型 (111) ヘテロエピタキシャル ダイヤモンド
12:30
Flash プレゼンテーション 1 3/5分のプレゼンテーション
Vishay Intertechnology, Inc. – アンドリュー・ウィジー
国立物理研究所 – セバスチャン・ウッド
オックスフォード・インストゥルメント – ドミトロ・ベスプロズヴァニー
三菱電機株式会社 – 柳生英二
Taiyo Nippon Sanso Corporation – Akinori Ubukata
トヨタ自動車株式会社 – 佐藤信明
13:00
日本企業紹介
13:15
ランチ＆ネットワーキング（ポスターセッション含む）

政府セッション – 英国
14:15
デビッド・スミス、英国科学情報技術省 (DSIT) 国家技術顧問

基調講演 2
14:25
ファルハン・ベグ、ケンブリッジ GaN デバイス
次世代パワー エレクトロニクス アプリケーションを推進するモノリシック集積 GaN テクノロジー
14:45
グラディス・ベンガリア、国立先端半導体パッケージングおよびインテグレーション センター (NASPIC)
エネルギーシステム統合における高度なパッケージング
15:05
Flash プレゼンテーション 2 3/5分のプレゼンテーション
Semiwise Ltd – フィクル・アダム・レマ
KuasaSemi Ltd – David Mawby
リバプール大学 – イヴォナ・ミトロヴィッチ
理研 – ムハンマド・アジマル・カーン
名古屋工業大学 – 南條 拓磨
日本企業1社追加
15:35
コーヒー＆ネットワーキング（ポスターセッションを含む）

政府セッション – 日本 2
15:50
Tomoshige Nambu、経済産業省局長
16:00
ラウンドテーブルディスカッション
日英協力と商品化の機会
パネリスト：デヴィッド・スミス、南部知重（TBC）、天野浩、ケイティ・ホア、倉俣暁人、テモック・ロドリゲス
議長: アレックス・オリバー、新井学
16:45
Flash プレゼンテーション 3 3/5分のプレゼンテーション
Inncat Ltd – サイモン・ハート
Inspirit Ventures – ジェフォリー・ヘインズ
Asahi Kasei Corporation – Sho Sugiyama
Link-Us Co., Ltd – Shigeki Saito
ビルストール大学 – ボー・リー
The Thinking Pod Innovations Ltd. – リー・エンプリンガム
日本企業1社追加

閉会の挨拶 – 1日目
17:20
Hiroshi Amano、名古屋大学、マーティン・クボール、ブリストル大学

夜のレセプションとネットワーキング
18:00
名古屋大学ComoNeでのビュッフェ形式のレセプション

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