科学＆テクノロジー

東芝：産業用機器の高効率化、高電力密度化に貢献する650V耐圧第3世代SiC MOSFETのTOLLパッケージ製品発売について

川崎--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、スイッチング電源や太陽光発電用インバーターなどの産業用機器向けに、当社最新[注1]の第３世代シリコンカーバイド (SiC) MOSFETチップを面実装のTOLLパッケージに搭載した、650V耐圧の3製品「TW027U65C」、「TW048U65C」、「TW083U65C」を製品化しました。本日から量産出荷を開始します。 新製品は、汎用的な表面実装パッケージのTOLLを採用した第３世代SiC MOSFETです。従来のリード挿入型パッケージ (TO-247、TO-247-4L(X)) と比較して、体積を80%以上削減しており、機器の電力密度の向上に貢献します。 さらに、リード挿入型パッケージと比べて寄生インピーダンス[注2]が小さく、スイッチング損失の低減に寄与します。加えて、4端子タイプ[注３] であるため、ゲートドライブ用信号ソース端子をケルビン接続することで、パッケージ内部にあるソースワイヤのインダクタンスによるスイッチングへの影響を小さくでき、高速スイッチング性能を実現します。 #東芝産業用機器の高効率化高電力密度化に貢献する650V耐圧第3世代SiC #MOSFETのTOLLパッケージ製品発売について