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高エネルギー照射によるパワーエレクトロニクス材料の研究

からの研究チーム チューリッヒ工科大学 パワーエレクトロニクス用の炭化ケイ素デバイスの開発と特性評価を行っている彼は、最近、ANSTO の加速器科学センターで研究に特殊なビームラインを使用することに時間を費やしました。チューリッヒ工科大学先端パワー半導体研究所のリーダーであるウルリケ・グロスナー教授は、シリウス加速器で利用できる正確なビーム位置と一連のイオンは、彼女のチームが探求していた種類の研究に最適であると述べた。スイスに本拠を置くグロスナー教授のチームは、加速器科学センターを訪れました。なぜなら、この研究を実施できる施設は世界中で非常に限られているからです。ANSTO施設は、その高い柔軟性と精度で際立っています。シリウス加速器は、電子部品、パワーデバイス、太陽光発電技術の放射線試験用に最適化されています。ETHチームは、宇宙研究のための放射線の影響をテストするための加速器技術の専門知識を持つ加速器科学者のステファニア・ペラキ博士と、上級機器科学者のゼリコ・パストゥオヴィッチ博士およびメカトロニクスエンジニアのライアン・ドルリー博士の支援を受けました。ETH チューリッヒ チームは、材料とデバイスを評価および最適化して、パフォーマンスと信頼性を向上させます。「私たちは、パワーエレクトロニクス用の有望な新しい半導体材料である炭化ケイ素（SiC）に関する特別な専門知識を持っています」とグロスナー教授は述べました。「この素材についてはまだわかっていないことがかなりたくさんあります。」「私たちは、電子機器への放射線影響に関する国際会議でのステファニア氏のプレゼンテーションを通じて、CAS 独自のマイクロビーム施設について知る機会がありました。その精密照射能力を活用する絶好の機会であると考え、提案書を提出しました。」 」と上級科学者のコリンナ・マルティネラ氏は語った。同グループはマイクロビームラインを利用して、集束陽子と重イオンビームを使用してマイクロメートルの精度で照射された部品の特定領域に対する放射線の影響の理解を進めた。「この施設は、放射線の影響を調査する機会を提供し、放射線硬化をもたらす設計変更を可能にするという点でユニークです。」彼らは複数のサンプルを持参し、照射される小型電子機器用にカスタムのサンプル環境を準備しました。 ETHチーム（ウルリケ・グロスナー教授博士研究員、コリンナ・マルティネラ博士課程学生、ヘルトン・ゴンサルベス・デ・メデイロス）博士課程の学生、マヌエル・ベランシェ・グアダス）ステファニア・ペラッキ博士、ゼリコ・パストゥヴィッチ博士、マイク・ドゥルーリーと 「実験キャンペーンの計画支援と、到着前に私たちのチームが機器チャンバー用のサンプルホルダーを構築できるようにしてくれた機器に関するすべての情報を提供してくれたステファニアに非常に感謝しています」とグロスナー教授は述べた。今回の訪問は、チームメンバーがイオンビーム照射を実際に体験する機会となりました。チームには、ヘルトン・ゴンサルベス・デ・メデイロス氏とマヌエル・ベランシェ・グアダス氏という2人の博士課程の学生が含まれており、サンプルの準備と照射に取り組み、照射後の分析を行う予定だ。「今回の訪問中、我々はANSTOとチューリッヒ工科大学との協力の可能性についても検討しました。これにより、宇宙や高エネルギー物理学などの過酷な環境におけるSiCデバイスの放射線耐性の分野におけるさらなる問題の調査が可能になります」とペラッキ博士は述べた。グロスナー教授は、実験に非常に満足しており、加速器を使ってテストするための他のアイデアをすでに考えていると述べた。彼女は、チームがこの研究に関連した雑誌を今後出版することを期待しています。 #高エネルギー照射によるパワーエレクトロニクス材料の研究