科学＆テクノロジー

東芝：産業用機器の高効率化、高電力密度化に貢献する650V耐圧第3世代SiC MOSFETのDFN8×8パッケージ製品発売について

川崎--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、スイッチング電源や太陽光発電用インバーターなどの産業用機器向けに、当社最新[注1]の第３世代シリコンカーバイド (SiC) MOSFETチップを小型DFN8×8パッケージに搭載した、650V耐圧の４製品「TW031V65C」、「TW054V65C」、「TW092V65C」、「TW123V65C」を製品化しました。本日から量産出荷を開始します。 新製品は、第３世代SiC MOSFETで当社初の小型面実装パッケージのDFN8×8を採用しています。従来のリード挿入型パッケージのTO-247、TO-247-4L(X)パッケージに比べ体積が90%以上削減されており、機器の電力密度の向上に貢献します。 また、面実装によりリード挿入型より寄生インピーダンス[注2]成分が小さくなり、スイッチング損失を低減します。さらに、4端子タイプ[注３]であるため、ゲートドライブ用の信号ソース端子をケルビン接続することで、パッケージ内部にあるソースワイヤのインダクタンスによるスイッチングへの影響を小さくでき、高 #東芝産業用機器の高効率化高電力密度化に貢献する650V耐圧第3世代SiC #MOSFETのDFN88パッケージ製品発売について